海思携手台积电推出16nm64位处理器区域

台积电今日宣布与海思半导体有限公司合作，已成功产出业界首颗以FinFET工艺及ARM架构为基础之功能完备的通处理器。这项里程碑强力证明了双方深入合作的成果，同时也展现了台积电坚持提供业界领先技术的承诺，以满足客户对下一世代高效能及具节能效益产品之与日俱增的需求。

台积电的16FinFET工艺能够显著改善速度与功率，并且降低漏电流，有效克服先进系统单芯片技术微缩时所产生的关键障碍。相较于台积电的28纳米高效能行动运算（28HPM）工艺，16FinFET工艺的芯片闸密度增加两倍，在相同功耗下速度增快逾40%，或在相同速度下功耗降低逾60%。

台积电总经理暨共同执行长刘德音博士表示： 我们在FinFET领域的研发已经超过十年，很高兴庞大的努力获得回馈并缔造此项成就。我们相信能发挥此项技术的最大效益，并在专业服务领域的先进工艺上，继续保持长期领先地位的优良纪录。

台积电的16FinFET工艺早于201 年十一月即完成所有可靠性验证，良率表现优异，并进入试产阶段，为台积电与客户的产品设计定案、试产活动与初期送样打下良好基础。

藉由台积电的16FinFET工艺，海思半导体得以生产具显著效能与功耗优势的全新处理器，以支持高阶通应用产品。海思半导体同时亦采用台积电经过生产验证且能整合多元技术芯片的CoWoS三维技术，能有效整合16纳米逻辑芯片与28纳米输出/输入芯片，提供具成本效益的系统解决方案。

海思半导体总裁何庭波表示： 很高兴在台积电FinFET技术及CoWoS解决方案的支持下，我们成功开发下一代面向无线通信和路由器应用的通信处理器并得以量产。该芯片采用ARM V8架构，集成 2核A57，主频可达2.6GHz，使用CoWoS?封装技术,具有丰富的通信接口和通信加速器。该芯片的调度、转发和信令处理能力较前一代芯片性能提升 倍，支持虚拟化，可以支持SDN和NFV，应用于未来的基站、路由器、核心等通信设备。通过大幅提升关键指标，极大提升了产品的竞争力。