富士通半导体成功推出拥有M内存业界最贸易

可帮助客户实现更轻、薄、短、小的智能可穿戴装置

上海，2015年7月8日 –富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，成功推出拥有1 Mb内存的FRAM产品---MB85RS1MT。由于该器件采用晶圆级芯片尺寸封装（WL-CSP），使得其体积仅为 .09 × 2.28 × 0. mm，一举成为业内拥有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。

MB85RS1MT为智能可穿戴设备提供了理想的内存器件的选择，除了可让终端应用产品的整体体积变小之外，更可让整个系统在写入数据时将功耗降至最低，以延长系统工作时间。

智能可穿戴设备是当下的市场热点，并以惊人的速度快速渗透和发展。智能可穿戴设备应用涵盖范围广阔且种类繁多，包括智能眼镜、头戴式显示器、隐蔽式助听器和智能脉搏计等，以及可记录卡路里消耗量和运算数据的活动记录器如智能手环等。而在这些众多智能可穿戴设备当中，持续的实时记录数据亦是必备的。

图一：SOP封装及WL-CSP外观

与一般的非挥发性内存如EEPROM和闪存（Flash）等相比，富士通FRAM可保证有一万亿次写入/擦除 (write/erase) 周期，它的写入速度为前者的1000倍以上，而功耗仅为其1//100000，FRAM的使用寿命更是超过EEPROM和Flash10000倍以上，是实时存储数据的理想选择。

图二：SOP封装及WL-CSP封装体积比较

为了在更广泛的应用中进一步扩大FRAM快速读写、高可靠性和低功耗的特点，富士通半导体在为1MB FRAM器件采用SOP封装之后，更推出了其全新WL-CSP封装版本（见图一）。在采用WL-CSP封装后，MB85RS1MT的体积仅为 .09 × 2.28 × 0. mm，比SOP封装体积小了95%（见图二）---其面积比SOP封装小了77%（见图三），其厚度仅相当于信用卡厚度的一半（见图四）。

图三：SOP封装及WL-CSP封装面积比较

图四：SOP封装及WL-CSP封装厚度比较

低功耗作业是FRAM众多优点之一。相较于一般使用的EEPROM非挥发性内存，FRAM写入数据的速度也比较快，因此可在写入数据时大幅降低功耗（如图五）。基于此原因，为了实时记录而需经常性写入数据的穿戴式装置在采用此FRAM后，可拥有更佳电池续航力和更小体积的优势。

图五：写入时功耗量比较

富士通半导体自1999年开始量产FRAM产品以来，已将上述产品特性广泛应用在工厂自动化设备、测试仪器、金融终端机及医疗装置等领域。此次采用WL-CSP封装的MB85RS1MT器件的推出，则将其应用领域延展到智能可穿戴设备应用当中，为客户提供更小、更薄和功能更丰富的产品，并大幅延长待机时间。

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