争夺市场主导权高光效芯片提升我国.鼓励

众所周知，LED芯片行业在过去很长一段时间内由于新增的大规模投资产能释放导致价格大幅下跌，虽然目前跌幅趋稳并有小幅回升，但是为了争夺市场的主导权，未来存在再次出现市场价格非理性竞争的可能性。同时，由于LED 芯片质量对下游封装环节或终端产品的质量有较大的影响，客户对 LED 芯片的一致性、稳定性、光衰、发光效率等指标有较高的要求。

目前，日本、美国垄断高效芯片技术，占据高端市场。国内LED 芯片技术的主要问题是：光输出功率低、发光效率不高、生产效率不高，造成该问题的主要原因是芯片结构设计与制备技术落后。我国在该领域落后于国际领先水平，限制了我国LED照明与高端显示产业发展。

华灿光电股份有限公司（以下简称“华灿光电”）作为国内领先的LED芯片供应商，是“新材料、新能源”领域的高新技术企业，多年来致力于研发、生产、销售全色系高品质LED外延材料与芯片。

近期，华灿光电研发出新产品“高光效LED芯片”，并成功推向市场。据悉，该高光效LED芯片技术已经取得相关的发明专利，该技术围绕发光功率、内外量子效率、外量子效率、生产效率四个方面，突破核心技术，创新结构设计，实现先进制造，最终创造出高光效芯片，支撑了产业发展。

一、独特结构设计的GaN-LED芯片及其制备技术。针对GaN基LED芯片蓝宝石衬底散热不良问题，通过芯片结构版图创新设计，研制成功可直接贴片封装的高光效芯片及其制备技术。

二、类超晶格插入层技术。发明具有AlxGa1-xN/GaN类超晶格周期结构插入层及其制备技术，减小晶格失配，提高晶体质量，减少位错和非辐射复合中心，提高芯片内量子效率。

并不会对埃及本土产生太大影响。三、界面修饰集成制备技术。通过采用截面修饰集成制备技术，减少光子界面损耗，提高外量子效率；优化制备图形化衬底和DBR反光层，大幅度提高芯片出光效率。

四、AlN缓冲层技术。开发AlN缓冲层PVD沉积技术，在蓝宝石衬底上由PVD法沉积一层AlN单晶薄膜，大幅减少界面失配，不仅提高了单晶薄膜晶体质量，而且大幅提升生产效率。

通过多年努力，华灿光电取得了4 项重大关键技术，成功研发出“高光效LED芯片”，突破瓶颈，有力提升了我国高光效 LED 芯片国际竞争力。

基于该产品具有独特的创新性以及极强的市场竞争力，华灿光电决定携该产品前来争夺2017高工LED金球奖“年度创新产品奖”。

关于华灿光电

华灿光电自设立以来一直从事 LED 外延片及芯片的研发、生产和销售业务，主要产品为外延片以及全色系 LED 芯片。目前，公司主营业务主要为生产、销售高亮度 LED 外延片及芯片，LED 芯片经客户封装后可广泛应用于全彩显示屏、背光源及照明等应用领域。

公司在 2016 年借助并购蓝晶科技，新增蓝宝石单晶、外延衬底以及其他蓝宝石窗口材料业务。美新半导体并购正在进行中，积极切入物联核心器件微机械领域。公司的并购着眼于行业前沿技术及产业链上下协同，未来将继续推进国际合作及并购。